Applied Physics Express杂志是一本国际优秀期刊，是一本未开放获取期刊。该杂志近三年影响因子分别为：2023年2.3、2022年2.3、2021年2.819。该杂志近三年CiteScore评价分区分别为：2023年4.8区、2022年5.6区、2021年5.3区。该刊专门致力于推进PHYSICS, APPLIED领域的研究，涵盖了PHYSICS, APPLIED领域的各个方面，汇集所有专家，促进PHYSICS, APPLIED领域的更好协作和信息共享。该期刊为PHYSICS, APPLIED领域的科研人员提供了一个高影响力的论坛，使该领域的科研人员、从业人员和学生能够接触到尖端的经验性调查分析、学术对话以及行业科研成果的最新发展。通过收录高质量的原创论文和评论论文，促进PHYSICS, APPLIED领域的应用与发展。该期刊还将该领域的创新与应用，以提高研究的质量和实用性。近年来在该刊上发文的国家和地区主要有：Vietnam（发文量7）、Uzbekistan（发文量1）、Ukraine（发文量1）、USA（发文量110）、UNITED ARAB EMIRATES（发文量1）、Thailand（发文量3）。
Applied Physics Express是一本由Japan Society of Applied Physics出版社发行的知名PHYSICS, APPLIED期刊。该杂志社联系方式JAPAN SOC APPLIED PHYSICS, KUDAN-KITA BUILDING 5TH FLOOR, 1-12-3 KUDAN-KITA, CHIYODA-KU, TOKYO, JAPAN, 102-0073。审稿过程是确保期刊质量的关键环节。Applied Physics Express杂志的审稿速度平均需要 约1.0个月 。这一时间周期既体现了编辑部对稿件质量的严格把关，也反映了审稿专家对学术研究的尊重和支持。在这个过程中，作者们可以充分利用这段时间对自己的研究成果进行完善和优化，以提高论文的质量和影响力。如果您对该期刊感兴趣，并希望了解更多关于投稿流程、投稿要求和技巧的信息，您可以咨询本站的客服老师，我们将帮助您了解期刊的投稿要求、审稿流程以及可能遇到的问题，并根据您的具体情况提供相应的建议和解决方案。
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore排名 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 4.8 | 0.487 | 0.817 | 学科类别 | 分区 | 排名 | 百分位 |
|
大类：大类：Engineering
小类：小类：GeneralEngineering
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Q2 | 77/307 | 74% | |||
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大类：大类：Engineering
小类：小类：GeneralPhysicsandAstronomy
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Q2 | 72/243 | 70% | |||
| 按JIF指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
|---|---|---|---|---|
| 学科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 100 / 179 | 44.4% |
| 按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
|---|---|---|---|---|
| 学科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 95 / 179 | 47.21% |
文章名称
引用次数
Indication of current-injection lasing from an organic semiconductor
51
A 271.8 nm deep-ultraviolet laser diode for room temperature operation
48
Hybrid quantum systems based on magnonics
47
U-shaped photonic quasi-crystal fiber sensor with high sensitivity based on surface plasmon resonance
29
Omnidirectional tunable terahertz analog of electromagnetically induced transparency realized by isotropic vanadium dioxide metasurfaces
28
High external quantum efficiency (10%) AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes achieved by using highly reflective photonic crystal on p-AlGaN contact layer
20
Low-pressure CVD-grown beta-Ga2O3 bevel-field-plated Schottky barrier diodes
20
Reduction of threading dislocation density and suppression of cracking in sputter-deposited AIN templates annealed at high temperatures
19
Design and exploration of semiconductors from first principles: A review of recent advances
19
Three-dimensional imaging of threading dislocations in GaN crystals using two-photon excitation photoluminescence
18
国家/地区
发文量
TJapan
706
TCHINA MAINLAND
582
TUSA
110
TSouth Korea
54
TFrance
29
TGERMANY (FED REP GER)
25
TTaiwan
25
TEngland
22
TRussia
18
TSingapore
18
