参考译名:
纳米电子学与光电子学杂志杂志
ISSN:
1555-130X
E-ISSN:
1555-1318
Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics SCIE
期刊导读:
《Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics》是一本由AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS出版商出版的工程技术国际刊物,国际简称为J NANOELECTRON OPTOE,中文名称纳米电子学与光电子学杂志。该刊创刊于2006年,出版周期为Tri-annual。 《Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics》2023年影响因子为0.6,被收录于国际知名权威数据库SCIE。
4区
中科院分区
Q4
JCR分区
0.6
影响因子
约1.0个月
预计审稿周期
基本信息:
大类学科:工程技术
小类学科:工程:电子与电气-工程技术
出版商:AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS
是否开放:No
出版语言:English
出版地区:UNITED STATES
出版周期:Tri-annual
出版年份:2006
年发文量:179
Gold OA文章占比:0.00%
是否预警:
截稿时间:长期
期刊简介

《Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics》重点专注发布工程:电子与电气-工程技术领域的新研究,旨在促进和传播该领域相关的新技术和新知识。鼓励该领域研究者详细地发表他们的高质量实验研究和理论结果。该杂志创刊至今,在工程:电子与电气-工程技术领域,有较高影响力,对来稿文章质量要求较高,稿件投稿过审难度较大。欢迎广大同领域研究者投稿该杂志。

近年评价数据趋势图
WOS(JCR)分区
按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 319 / 352 9.5%
学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 134 / 140 4.6%
学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 171 / 179 4.7%
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 336 / 354 5.23%
学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 133 / 140 5.36%
学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 175 / 179 2.51%
WOS(JCR)分区是由科睿唯安公司提出的一种新的期刊评价指标,分区越靠前一般代表期刊质量越好,发文难度也越高。这种分级体系有助于科研人员快速了解各个期刊的影响力和地位。JCR将所有期刊按照各个学科领域进行分类,然后以影响因子为标准平均分为四个等级:Q1、Q2、Q3和Q4区。这种设计使得科研人员可以更容易地进行跨学科比较。
中科院SCI期刊分区
中科院SCI期刊分区是由中国科学院国家科学图书馆制定的。将所有的期刊按照学科进行分类,以影响因子为标准平均分为四个等级。分区越靠前一般代表期刊质量越好,发文难度也越高。
2023年12月升级版
Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术

ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC

工程:电子与电气

2022年12月升级版
Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术

ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC

工程:电子与电气

2021年12月旧的升级版
Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术

ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC

工程:电子与电气

2021年12月基础版
Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术

ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC

工程:电子与电气

2021年12月升级版
Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术

ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC

工程:电子与电气

2020年12月旧的升级版
Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术

ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC

工程:电子与电气

发文统计

文章名称

引用次数

Investigation of Ta/NII-WO3/FTO Structures as a Semiconductor for the Future of Nanodevices

10

A One Pot Room Temperature Synthesis of Pure and Zn Doped PbI2 Nanostructures and Their Structural, Morphological, Optical, Dielectric and Radiation Studies

9

Electrical Sensor Based on Hollow ZnO Spheres for Hydrazine Detection

8

Iron Oxide (Fe3O4)-Graphene Oxide (GO) Nanocomposites Based Li-Ion Batteries: Experimental and Theoretical Studies

8

Hydrothermally Grown Copper-Doped ZnO Nanorods on Flexible Substrate

7

High UV-to-Visible Rejection Ratio and Low Cost UV Photodetector Based on Co-Doped ZnO Nanorods Grown on Polyethylene Terephthalate Substrate

6

Effect of the Electrolyte on Capacitive Behavior of Supercapacitor Electrodes

6

On the Frequency-Voltage Dependence Profile of Complex Dielectric, Complex Electric Modulus and Electrical Conductivity in Al/ZnO/p-GaAs Type Structure at Room Temperature

6

Comparative Analysis Among Single Material Gate, Double Material Gate, and Triple Material Gate FinFETs: RF/Analog and Digital Inverter Performance

6

Flexible Sensors Based on Ag/Polyimide Substrates and Pd-ZnO Sensing Films

6

国家/地区

发文量

TCHINA MAINLAND

322

TIndia

133

TSouth Korea

50

TSaudi Arabia

44

TIran

41

TEgypt

31

TPakistan

30

TMalaysia

27

TTurkey

26

TAlgeria

24

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